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“村田代理商”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ROHS REACH |
| 品牌： | 村田 | 类型： | 低频瓷介电容器 |
| 使用电压： | 低压 | 温度系数： | 正温度系数 |
| 介电常数： | 低介电常数 | 特点： | I型 |
| 型号： | GRM31MF51C475ZA01L | 规格： | 1206 |
| 商标： | 村田 | 包装： | 1000 |
“村田代理商”详细介绍
村田代理商
村田是一家以机能陶瓷为基本的电子元器件的研究开发，生产和销售的大型知名企业。
电子元器件在被用于组装成各类电子设备而实际应用于市场时，需要面对外部各种应激反应。例如，电子设备掉落时引起的物理应变，冷热温差引起的热应变，通电时的电应变等。以这些外部应变为诱因，在产品使用时，有电子元器件发生故障的案例。因此，村田从各电子元器件的设计阶段开始，研究外部应变与故障发生的机理，并反馈至电子元器件的可靠性设计中。同时，通过把握外部应变的强度与故障发生的时间概率之间的关系，确立"外部应变与故障发生的加速模型"，以便在更短的试验时间内可对电子元器件的耐用年数进行评价。
作为加速模型的具体案例，针对多层陶瓷电容器的耐用年数的温度电压加速性进行说明。一般情况下，多层陶瓷电容器由电绝缘体（电介质）构成，对于连续通电，具有高度可靠性。例如，安装在汽车发动机附近的控制模块，在使用时，周围环境的温度会随之升高。在这样的高温环境下通电时，电容器使用的陶瓷材料内部状态。在陶瓷材料内部含量极少的原子等级的电荷缺陷会从+极（正极）向-极（负极）移动。以钛酸钡为代表的电陶瓷，在进行烧制工艺时，结晶构造内部包含了极少量的原子级缺陷（称为氧空位），其可通过外部施加的电压缓慢移动，不久便会累积在-极附近，最终可能会破坏陶瓷绝缘性。如此，多层陶瓷电容器的耐用年数（寿命）取决于陶瓷材料中氧空位的移动速度与量.
片状三端子电容器的注意事项及技巧。
将片状三端子电容器封装于多层基片时的注意事项
与一般的二端子电容器相比，片状三端子电容器具有接地端子阻抗较低的优势，这已经成为消除高频噪音的性能要点。为发挥该优势，就需要在PCB结构设计方面多加注意，接地端的结构要尽量设计得短而粗。封装于多层基片时也可以依照同样的考虑。针对在多层基片上改变三端子电容器的封装方法，进而改变与GND层的连接状态后的噪声消除的不同效果。
片状三端子电容器的非贯穿连接
片状三端子电容器通常使用的方法是对希望降低电源线等噪音的线路进行切割后插入其间，然后连接GND端子。最近，出现了稍显不同的连接方法，下面对此进行说明。该方法适用于将三端子电容器作为IC电源的旁路电容器进行使用时优先稳定IC电压变动的情况。这种方法是在不切断电源模式的情况下，将两端子连接于电源线。由于是电源线不贯穿三端子电容器的连接方法，所以这种连接方法被称为"非贯穿连接"。通过这种作法，电源线和电容器之间变成并联，因此这一部分的阻抗会减半，从而降低旁路阻抗，进而降低IC的电压变动。另外，GND端的Via和电源端的Via相邻而置，由此相互抵消两方电流所产生的磁通，该部分的电感效应明显降低，具有进一步降低阻抗的效果。但是，因为与切断电源线插入三端子电容器的情况不同，一部分的噪音在不经由三端子电容器的情况下经由电源线通过，所以此种方法在降低外流噪音的效果影响方面要少于常规的连接方法。
村田制作所今后还将继续研发低ESR以及小型化的产品，为设备的高功能化以及小型化和节能做出贡献。
我们愿意只赚本公司优势产品的利润，以谋取共赢！
村田是一家以机能陶瓷为基本的电子元器件的研究开发，生产和销售的大型知名企业。
电子元器件在被用于组装成各类电子设备而实际应用于市场时，需要面对外部各种应激反应。例如，电子设备掉落时引起的物理应变，冷热温差引起的热应变，通电时的电应变等。以这些外部应变为诱因，在产品使用时，有电子元器件发生故障的案例。因此，村田从各电子元器件的设计阶段开始，研究外部应变与故障发生的机理，并反馈至电子元器件的可靠性设计中。同时，通过把握外部应变的强度与故障发生的时间概率之间的关系，确立"外部应变与故障发生的加速模型"，以便在更短的试验时间内可对电子元器件的耐用年数进行评价。
作为加速模型的具体案例，针对多层陶瓷电容器的耐用年数的温度电压加速性进行说明。一般情况下，多层陶瓷电容器由电绝缘体（电介质）构成，对于连续通电，具有高度可靠性。例如，安装在汽车发动机附近的控制模块，在使用时，周围环境的温度会随之升高。在这样的高温环境下通电时，电容器使用的陶瓷材料内部状态。在陶瓷材料内部含量极少的原子等级的电荷缺陷会从+极（正极）向-极（负极）移动。以钛酸钡为代表的电陶瓷，在进行烧制工艺时，结晶构造内部包含了极少量的原子级缺陷（称为氧空位），其可通过外部施加的电压缓慢移动，不久便会累积在-极附近，最终可能会破坏陶瓷绝缘性。如此，多层陶瓷电容器的耐用年数（寿命）取决于陶瓷材料中氧空位的移动速度与量.
片状三端子电容器的注意事项及技巧。
将片状三端子电容器封装于多层基片时的注意事项
与一般的二端子电容器相比，片状三端子电容器具有接地端子阻抗较低的优势，这已经成为消除高频噪音的性能要点。为发挥该优势，就需要在PCB结构设计方面多加注意，接地端的结构要尽量设计得短而粗。封装于多层基片时也可以依照同样的考虑。针对在多层基片上改变三端子电容器的封装方法，进而改变与GND层的连接状态后的噪声消除的不同效果。
片状三端子电容器的非贯穿连接
片状三端子电容器通常使用的方法是对希望降低电源线等噪音的线路进行切割后插入其间，然后连接GND端子。最近，出现了稍显不同的连接方法，下面对此进行说明。该方法适用于将三端子电容器作为IC电源的旁路电容器进行使用时优先稳定IC电压变动的情况。这种方法是在不切断电源模式的情况下，将两端子连接于电源线。由于是电源线不贯穿三端子电容器的连接方法，所以这种连接方法被称为"非贯穿连接"。通过这种作法，电源线和电容器之间变成并联，因此这一部分的阻抗会减半，从而降低旁路阻抗，进而降低IC的电压变动。另外，GND端的Via和电源端的Via相邻而置，由此相互抵消两方电流所产生的磁通，该部分的电感效应明显降低，具有进一步降低阻抗的效果。但是，因为与切断电源线插入三端子电容器的情况不同，一部分的噪音在不经由三端子电容器的情况下经由电源线通过，所以此种方法在降低外流噪音的效果影响方面要少于常规的连接方法。
村田制作所今后还将继续研发低ESR以及小型化的产品，为设备的高功能化以及小型化和节能做出贡献。
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